[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710390940.X | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107482047B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁正吉;裴东一;裴金钟;宋昇珉;李钟昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的绝缘层；第一沟道图案，其位于绝缘层上，并且接触绝缘层；第二沟道图案，其位于第一沟道图案上并且彼此水平地间隔开；栅极图案，其位于绝缘层上，并且包围第二沟道图案；以及各个第二沟道图案之间的源极/漏极图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的绝缘层；绝缘层上的第一沟道图案，所述第一沟道图案接触绝缘层；第一沟道图案上的第二沟道图案，所述第二沟道图案彼此水平地间隔开；绝缘层上的栅极图案，所述栅极图案包围所述第二沟道图案；以及第二沟道图案之间的源极/漏极图案。
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