[发明专利]一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法

摘要

本发明公开了一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法，利用微纳加工技术将铁电单晶基片加工成鳍式三维纳米结构，并利用原子层沉积的出色三维保形均匀性，以价格低廉的二茂铁和氧气作为铁和氧前驱体源，使用原子层沉积ALD设备在具有鳍式三维结构的铁电单晶基片上原位生长出100％均匀和保形的Fe3O4薄膜形成鳍式三维多铁异质结。将微纳加工技术和原子层沉积这样两种技术有机结合起来，突破了现有多铁异质结还停留在平面结构和宏观尺寸的局限，这对多铁异质结走向三维化，微型化的和与现有主流微电子器件的兼容具有重要意义。

主权项

一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对洁净的铁电单晶基片璇涂光刻胶，璇涂后进行恒温干燥；2)对璇涂有光刻胶的铁电单晶基片进行紫外曝光处理；3)对紫外曝光处理后的铁电单晶基片进行显影处理，显影处理后进行清洗干燥；4)利用磁控溅射在显影处理后的铁电单晶基片上溅射一层惰性金属薄膜作为湿法刻蚀掩膜层；5)将溅射有湿法刻蚀掩膜层的铁电单晶基片放入丙酮溶液中进行超声清洗，洗掉光刻胶后清洗干燥；6)将洗掉光刻胶的溅射有湿法刻蚀掩膜层的铁电单晶基片放入湿法刻蚀溶液里进行湿法刻蚀处理，得到具有鳍式三维结构的铁电单晶基片；7)对具有鳍式三维结构的铁电单晶基片进行电感耦合等离子体刻蚀处理，以去除铁电单晶基片上的湿法刻蚀掩膜层；8)对去除了湿法刻蚀掩膜层的铁电单晶基片进行若干次原子层沉积循环，沉积三维均匀保形的磁性薄膜，即得到鳍式三维多铁异质结。