[发明专利]一种施密特触发器在审
| 申请号： | 201710394948.3 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106982047A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565;H03K3/013 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种施密特触发器，属于半导体集成电路技术领域。本发明的斯密特触发器的特点在于，在现有斯密特触发器的电源和地之间引入了第一隔离器件和第二隔离器件，通过第一隔离器件和第二隔离器件的引入，将现有电路中的电源和地的寄生二极管消除了，大大提升了芯片的静电放电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 施密特触发器 | ||
【主权项】：
一种施密特触发器，包括，第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接输入UIN，漏极接第二PMOS晶体管P2的源极和第三PMOS晶体管P3的源极；第二PMOS晶体管P2的栅极接输入UIN，漏极接输出UOUT；第三PMOS晶体管P3的栅极接输出UOUT；第一NMOS晶体管N1的栅极接输入UIN，漏极接输出UOUT，源极接第二NMOS晶体管N2的漏极和第三NMOS晶体管N3的漏极；第二NMOS晶体管N2的栅极接输入UIN，源极接地；第三NMOS晶体管N3的栅极接输出UOUT；其特征在于，所述斯密特触发器还包括第一隔离器件，第二隔离器件，所述第一隔离器件的一端接第三PMOS晶体管P3的漏极，另一端接地；所述第二隔离器件的一端接第三NMOS晶体管N3的源极，另一端接电源。
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