[发明专利]一种轨对轨比较器电路

摘要

本发明提供了一种轨对轨比较器，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管；本发明的比较器电路在传统的比较器电路的基础上，采用了PMOS晶体管和NMOS晶体管都作为比较器输入对管的方法；成功避开了只采用NMOS晶体管作为输入对和只采用PMOS晶体管作为输入对时对输入电压的限制。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器电路的输入电压能在全电压范围内工作，工作范围得到了大大提升。

主权项

一种轨对轨比较器电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第五PMOS晶体管P5、第六PMOS晶体管P6、第七PMOS晶体管P7、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5、第六NMOS晶体管N6和第七NMOS晶体管N7；第一PMOS晶体管P1的栅极接第一偏置电流输入端PBIAS，源极接电源，漏极接第六PMOS晶体管P6和第七PMOS晶体管P7的源极；第六PMOS晶体管P6的栅极接比较器负输入端UIN，漏极接第三NMOS晶体管N3的栅极和漏极以及第六NMOS晶体管N6的栅极；第三NMOS晶体管N3的源极接地；第七PMOS晶体管P7的栅极接比较器正输入端UIP，漏极接第四NMOS晶体管N4的栅极和漏极、第七NMOS晶体管N7的栅极以及第二PMOS晶体管P2的漏极；第四NMOS晶体管N4的源极接地；第一NMOS晶体管N1的栅极接比较器负输入端UIN，源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第五NMOS晶体管N5的漏极，漏极接第三PMOS晶体管P3的栅极和漏极；第二NMOS晶体管N2的栅极接比较器正输入端UIP，漏极接第四PMOS晶体管P4的栅极和漏极、第五PMOS晶体管P5的栅极以及第六NMOS晶体管N6的漏极；第五NMOS晶体管N5的栅极接第二偏置电流输入端NBIAS，源极接地；第二PMOS晶体管P2的源极接电源、栅极接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源；第四PMOS晶体管P4的源极接电源；第五PMOS晶体管P5的源极接电源，漏极接比较器的输出端UOUT；第六NMOS晶体管N6的源极接地；第七NMOS晶体管N7的源极接地，漏极接比较器的输出UOUT。