[发明专利]一种偏置电流产生电路在审
| 申请号： | 201710395055.0 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107102678A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种偏置电流产生电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极接输出端；第二PMOS晶体管的源极接电源，栅极和第一PMOS晶体管的栅极相接，并接输出端，漏极接第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管的漏极接输出，源极接第二NMOS晶体管的栅极和第一电阻的一端；第一电阻的另一端接地；第二NMOS晶体管的源极接地。本发明的偏置电流产生电路中，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一电阻构成了负反馈环路，这个环路大大提升了偏置电流的抗电源噪声能力，从而使得该偏置电流产生电路提供的偏置电流具有较强的抗电源噪声能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一电阻R1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极接输出端UOUT；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和第一PMOS晶体管P1的栅极相接，并接输出端UOUT，漏极接第一NMOS晶体管N1的栅极和第二NMOS晶体管N2的漏极；第一NMOS晶体管N1的漏极接输出UOUT，源极接第二NMOS晶体管N2的栅极和第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端接地；第二NMOS晶体管N2的源极接地。
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