[发明专利]一种静电放电保护电路在审
| 申请号： | 201710395056.5 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106992511A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静电放电保护电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括三极管Q1和NMOS晶体管N1；芯片引脚IN接三极管Q1的基极和发射极；三极管Q1的集电极接NMOS晶体管N1的漏极；NMOS晶体管N1的栅极和源极接地。本发明的静电放电保护电路，通过三极管Q1的引入，使得芯片引脚IN和地之间形成了背靠背的两个寄生二极管，这两个寄生二极管的形成，就避免了芯片引脚IN为负压时，从地到芯片引脚IN的漏电流。从而使得芯片引脚IN为负压时也能正常工作，大大扩展了芯片的工作范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护电路，其特征在于，该电路包括：三极管Q1和NMOS晶体管N1；芯片引脚IN接三极管Q1的基极和发射极；三极管Q1的集电极接NMOS晶体管N1的漏极；NMOS晶体管N1的栅极和源极接地。
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