[发明专利]MEMS器件端口特性参数提取方法和装置有效
| 申请号： | 201710396408.9 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107247685B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 邸英杰;王勇涛;郭春波;丁海;林显添 | 申请（专利权）人： | 京信通信技术（广州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F17/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘艳丽;李巍 |
| 地址： | 510730 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件端口特性参数提取方法和装置，其方法包括：为MEMS器件的接地或者处于开路状态的N‑n个金属导体加上端口；分别在各个金属导体上施加预设幅度值的射频信号电压，每在一个金属导体上施加射频信号电压后，对其他金属导体路进行接地处理，获取N个金属导体上在各个频点的电流值进而确定N端口器件的导纳矩阵中对应当前施加射频信号电压的金属导体的一列数据；在获取到N端口器件的导纳矩阵的N列数据后，根据N端口器件的导纳矩阵获取n端口器件的导纳矩阵，其中，MEMS器件的端口特性参数包括n端口器件的导纳矩阵，如此，可以提高参数提取效率以及提取结果精确度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 端口 特性 参数 提取 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件端口特性参数提取方法，其特征在于，所述MEMS器件包括N个金属导体，所述N个金属导体中的n个金属导体作为所述MEMS器件的端口，剩余的N‑n个金属导体接地或者处于开路状态，其中，N和n均为整数，且n小于或者等于N，所述方法包括：为所述剩余的N‑n个金属导体加上端口，以使所述MEMS器件由n端口器件转换成N端口器件；分别在所述N个金属导体中的各个金属导体上施加预设幅度值的射频信号电压，每在一个金属导体上施加所述射频信号电压后，将除当前施加所述射频信号电压的金属导体外的其他金属导体设置为接地，获取所述N个金属导体上在各个频点的电流值，根据所述预设幅度值和所述N个金属导体上在各个频点的电流值确定所述N端口器件的导纳矩阵中对应当前施加所述射频信号电压的金属导体的一列数据；在获取到所述N端口器件的导纳矩阵的N列数据后，根据所述N端口器件的导纳矩阵获取所述n端口器件的导纳矩阵，其中，所述MEMS器件的端口特性参数包括所述n端口器件的导纳矩阵。
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