[发明专利]一种宽禁带功率半导体模块封装结构有效
| 申请号： | 201710397945.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987354B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 沈杰;王传宇;曹伟杰;吴跃飞;徐腾 | 申请（专利权）人： | 乐金电子研发中心（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦;乔媛 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种宽禁带功率半导体模块封装结构，涉及电路器件封装技术领域。结构中驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件被封装在多层封装层结构中的不同层中，且被封装为一体；驱动隔离保护电路的驱动隔离控制接口通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，与宽禁带功率半导体器件的门极连接；所述脉冲宽度调制信号输入接口和驱动电源输入接口分别通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，在多层封装层结构的上表面形成脉冲宽度调制信号输入接口连接点和驱动电源输入接口连接点；所述宽禁带功率半导体器件的漏极和源极露出所述多层封装层结构，在多层封装层结构的上表面形成功率回路接口连接点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 功率 半导体 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种宽禁带功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括由驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件组成的单器件结构宽禁带功率半导体模块、半桥结构宽禁带功率半导体模块或全桥结构宽禁带功率半导体模块；所述驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件被封装在多层封装层结构中的不同层中；所述多层封装层结构将所述驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件封装为一体；所述驱动隔离保护电路设置有脉冲宽度调制信号输入接口、驱动电源输入接口以及驱动隔离控制接口；所述驱动隔离控制接口通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，与宽禁带功率半导体器件的门极连接；所述脉冲宽度调制信号输入接口和驱动电源输入接口分别通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，在多层封装层结构的上表面形成脉冲宽度调制信号输入接口连接点和驱动电源输入接口连接点；所述宽禁带功率半导体器件的漏极和源极露出所述多层封装层结构，在多层封装层结构的上表面形成功率回路接口连接点。
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