[发明专利]含热、电性能改善的再分布结构的芯片载体及半导体器件有效
| 申请号： | 201710398130.9 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452707B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·霍尔丹;T·沙夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种芯片载体包括再分布结构，其中，所述再分布结构包括：沿水平方向延伸的介电层；布置在介电层之上并沿水平方向延伸的第一导电层；布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽；以及填充沟槽的填充材料，其中，填充材料不同于介电层的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 改善 再分 结构 芯片 载体 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种芯片载体，其包括再分布结构，所述再分布结构包括：沿水平方向延伸的介电层；布置在介电层之上并沿水平方向延伸的第一导电层；布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽；以及填充沟槽的填充材料，其中，所述填充材料不同于介电层的材料。
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