[发明专利]一种分级结构MoS2 有效
| 申请号： | 201710398457.6 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107262116B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王洪恩;谢纪伟;张润霖;王文聪;蔡祎 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J37/10;B01J37/16;C01G39/06;C01G3/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种分级结构MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 分级 结构 mos base sub | ||
【主权项】：
一种分级结构MoS2/Cu2S复合材料，它为由MoS2纳米片和Cu2S纳米片组装而成的呈花状结构的微纳米球。
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