[发明专利]一种掩模板图案的测量方法

摘要

本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

主权项

1.一种掩模板图案的测量方法，其特征在于，掩模板(10)上图案化部分划分为各个小区域(20)，各个小区域(20)之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记a、b，掩模板(10)上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，具体方法步骤如下：1），将掩模板(10)上图案化部分划分为各个小区域(20)，各个小区域(20)构成矩阵形式，在行与列方向上的相邻的小区域之间形成若干个掩膜标记a、b；2），使用光探测器测量处于矩阵中偏中心位置小区域如标号1小区域的相邻两边处的掩模标记a的尺寸是否有变化，以及使用光探测器测量处于矩阵中偏边缘位置小区域如标号2小区域的相邻两边处的掩模标记b的尺寸是否有变化；3），根据上述标记a、b的测量结果而判定掩模板(10)热膨胀形式，进而调整控制器对上述掩模板(10)上的图案进行修正以使得后续晶片上外延工艺各层之间的对准精度更高。