[发明专利]芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法有效
| 申请号： | 201710399111.8 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107256911B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;闫建昌;魏学成;魏同波;宋昌斌;张韵;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 尺寸 深紫 发光二极管 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长AlN模板层、n‑AlGaN层、AlGaN基量子阱结构、p‑AlGaN层、p‑GaN层；所述AlN模板层的厚度为0.5‑2um、所述n‑AlGaN层的厚度为1.5‑3.5um、所述AlGaN基量子阱结构为3‑5对、所述p‑AlGaN层的厚度为40‑60nm、所述p‑GaN层的厚度为150‑300nm；将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；使用模具固定带有深紫外芯片的石英透镜，使得模具开口处与深紫外芯片表面平齐；在所述深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，共晶融合的温度为260‑400度之间，完成封装；其中，所述第一AuSn片和所述第二AuSn片中Au和Sn的比例为20:80，其厚度为2‑20微米。
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