[发明专利]对BJT电流镜的基极电流补偿有效
| 申请号： | 201710399144.2 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108153371B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | R·普罗查兹卡;张志荣 | 申请（专利权）人： | 意法设计与应用股份有限公司;意法半导体亚太私人有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 捷克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及对BJT电流镜的基极电流补偿。例如，一种电流镜电路包括输入电流引脚和输出电流引脚。该输入电流引脚包括：第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第一BJT的基极端子的源极端子。该输出电流引脚包括：第二BJT，该第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及第二MOSFET，该第二MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第二BJT的基极端子的源极端子。 | ||
| 搜索关键词： | bjt 电流 基极 补偿 | ||
【主权项】：
一种电流镜电路，包括：输入电流引脚，所述输入电流引脚包括：第一双极结型晶体管(BJT)，所述第一双极结型晶体管具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有耦合至所述电流节点的栅极端子以及耦合至所述第一BJT的基极端子的源极端子；以及第一输出电流引脚，所述第一输出电流引脚包括：第二BJT，所述第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及第二MOSFET，所述第二MOSFET具有耦合至所述电流节点的栅极端子以及耦合至所述第二BJT的基极端子的源极端子。
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