[发明专利]一种表面配体为去质子巯基的量子点的制备方法在审
| 申请号： | 201710399234.1 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108977195A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 覃辉军;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种表面配体为去质子巯基的量子点的制备方法，其中，包括步骤：采用去质子剂对含质子巯基配体进行预处理，得到去质子巯基配体；将预先配置好的原配体量子点溶液与所述去质子巯基配体混合，室温下搅拌预定时间后，发生配体交换反应，清洗后得到表面配体为去质子巯基的量子点；本发明提供的表面配体为去质子巯基的量子点的制备方法反应速率快，交换后的去质子巯基与量子点表面的阳离子结合牢固，最后得到的表面配体为去质子巯基量子点稳定性强、发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 质子 巯基 表面配体 量子点 巯基配体 制备 预处理 配体交换反应 量子点表面 阳离子结合 发光效率 去质子剂 稳定性强 预先配置 子点 清洗 交换 | ||
【主权项】：
1.一种表面配体为去质子巯基的量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、采用去质子剂对含质子巯基配体进行预处理，得到去质子巯基配体；B、将预先配置好的原配体量子点溶液与所述去质子巯基配体混合，室温下搅拌预定时间后，发生配体交换反应，清洗后得到表面配体为去质子巯基的量子点。
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