[发明专利]三维存储器

摘要

本文大体上论述三维存储器单元及制造及使用所述存储器单元的方法。在一或多个实施例中，三维垂直存储器可包含存储器堆叠。此存储器堆叠可包含存储器单元及介于邻近存储器单元之间的电介质，每一存储器单元包含控制栅极及电荷存储结构。所述存储器单元可进一步包含介于所述电荷存储结构与所述控制栅极之间的势垒材料，所述电荷存储结构及所述势垒材料具有实质上相等的尺寸。

主权项

一种垂直存储器，其包括：存储器单元的堆叠，所述堆叠的单元包括：控制栅极；电荷存储结构；势垒膜，其完全位于所述电荷存储结构与所述控制栅极之间；第一电介质，其介于所述势垒膜与所述电荷存储结构之间，所述第一电介质进一步在所述电荷存储结构的上方和下方延伸；以及第二电介质，其介于所述势垒膜与所述控制栅极之间，其中所述第一电介质和所述第二电介质共同围绕所述势垒膜。