[发明专利]压电式微加工超声换能器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710400836.4 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108246593B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | F·方希里诺;F·F·维拉;A·迪马特奥 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06;H01L41/083;H01L41/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 式微 加工 超声 换能器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：‑半导体本体(2)，所述半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，所述膜悬置在所述第一空腔(6)之上并且面向所述半导体本体(2)的前侧(2a)；以及‑压电式换能器组件(16，18，20)，所述压电式换能器组件至少部分地在所述膜(8)之上延伸，所述压电式换能器组件可被致动以用于生成对所述膜(8)的偏转，其特征在于，第二空腔(4)延伸成掩埋在所述膜(8)的外围区域(8a)中并且界定所述膜(8)的中心区域(8b)。
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