[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质在审
申请号: | 201710401003.X | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN107452612A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 山涌纯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/683 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种在从由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成的载置台使被处理基板上升期间中形成除电气体的等离子体时,降低该等离子体对载置台的影响的技术。等离子体处理装置(1)将被处理基板(G)保持在设置于处理容器(10)内的载置台(2)的静电卡盘(22)上,利用等离子化了的处理气体进行等离子体处理。在使完成等离子体处理的被处理基板从载置台上升移动期间中,使用除电气体的等离子体对被处理基板进行除电时,为了抑制附着在处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入被处理基板的下方侧,向载置台与被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体。另外,该载置台由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其用于利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:处理容器,其用于对被处理基板进行等离子体处理,在内壁面附着所述等离子体处理时生成的副产物;载置台,其设置在所述处理容器内,具有用于在吸附保持所述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构;除电气体供给部,其用于向所述处理容器内供给对被处理基板进行除电的除电气体;等离子体形成部,其用于在使所述被处理基板上升期间中形成所述除电气体的等离子体;和进入抑制气体供给部,在使所述被处理基板上升期间中,为了抑制附着在所述处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入所述被处理基板的下方侧,向由所述载置台和被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体,所述载置台由对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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