[发明专利]晶圆退火的热量补偿方法有效
申请号: | 201710401289.1 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN107275208B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 谢威;赖朝荣;王智 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆退火的热量补偿方法,在晶圆的栅极上形成侧墙,对于每个晶圆,测量所述侧墙的厚度,并根据所述侧墙厚度的变化ΔD时,在晶圆尖峰退火时,对晶圆进行温度补偿,补偿温度ΔT=a×ΔD+b,其中a、b为侧墙厚度变化ΔD以及尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数。由于每个晶圆在制作时,其侧墙厚度并不一致,因此本发明针对每个晶圆侧墙厚度的变化,制定了温度补偿公式ΔT=a×ΔD+b,从而针对不同的晶圆、不同的侧墙厚度,补偿不同的温度,从而保证不同的晶圆受热一致,使得该种工艺制作下来的半导体器件的电性参数稳定在一定范围内,方便后续的测试和应用。 | ||
搜索关键词: | 退火 热量 补偿 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆退火的热量补偿方法,其特征在于,在晶圆的栅极上形成侧墙,对于每个晶圆,测量所述侧墙的厚度,并根据所述侧墙厚度变化ΔD,在晶圆尖峰退火时,对晶圆进行温度补偿,补偿温度ΔT=a×ΔD+b,其中a、b分别为侧墙厚度变化ΔD、尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数;所述a、b通过以 下步骤得到:步骤一:收集电性参数R随侧墙厚度变化ΔD变化时的变化值ΔR,收集n组数据分别为(ΔR1,ΔD1)、(ΔR2,ΔD2)、(ΔR3,ΔD3)…(ΔRn,ΔDn),通过对n组数据线性回归计算,可以得到电性参数ΔR=c×ΔD+d,其中c和d由线性回归计算得到;步骤二:收集电性参数R随尖峰退火温度变化Δt变化时的变化值ΔR,收集m组数据分别为(ΔR1,Δt1)、(ΔR2,Δt2)、(ΔR3,Δt3)…(ΔRm,Δtm),通过对m组数据线性回归计算,可以得到电性参数ΔR=e×Δt+f,其中e和f由线性回归计算得到;步骤三:结合步骤一和步骤二:当侧墙厚度变化ΔD,对电性参数的影响,等效于尖峰退火温度变化
时,需要对晶圆进行温度补偿ΔT=‑Δt,所以![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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