[发明专利]一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器有效
| 申请号： | 201710402079.4 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108988124B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李亚节;周旭亮;王鹏飞;王梦琦;于红艳;李召松;李稚博;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括：N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光栅层、N型InP层、隧道结、P型InP盖层、P型接触层、P电极。本发明利用隧道结正偏时的微分负阻特性，在器件内部进行振荡调制，使激光器能直接发射光载微波，在降低相位噪声、减小功率损耗、简化器件结构的同时，实现高速调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 微波 振荡 单片 集成 隧道 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，该激光器自下而上依次为N电极(1)、N型InP衬底(2)、N型InP缓冲层(3)、下限制层(4)、量子阱有源区(5)、上限制层(6)和光栅层(7)，且各层宽度相同；光栅层(7)之上还自下而上依次包括P型InP盖层(10)和P型接触层(11)，P型InP盖层(10)和P型接触层(11)宽度相同，且小于光栅层(7)的宽度，其中：光栅层(7)与P型InP盖层(10)之间还自下而上依次包括N型InP层(8)和隧道结(9)；N型InP层(8)置于光栅层(7)上，与光栅层(7)宽度相同；隧道结(9)置于N型InP层(8)上，宽度与P型InP盖层(10)宽度相同；隧道结(9)、P型InP盖层(10)、P型接触层(11)构成脊形波导结构。
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