[发明专利]一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法有效
| 申请号： | 201710402858.4 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107256830A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 谢斌 | 申请（专利权）人： | 合肥邦诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法，包括以下步骤：(1)浆料的制备；(2)利用丝网印刷技术将上步所得浆料印刷到氮化铝基板上；(3)对无氧铜板和氮化铝基板进行清洗，干燥后备用；(4)将无氧铜板封接到上步所得的氮化铝基板上；(5)利用蚀刻设备和蚀刻液体将无氧铜板蚀刻成设计要求的电路；(6)在氮化铝基板上镀镍；(7)在上述的基板上印刷阻焊区域。该利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法可实现厚膜型氮化铝覆铜基板的国产化生产；氮化铝基板具有优良的导热性，绝缘和耐高电压的特性；无氧铜板具有极高的载流能力；氮化铝基板与无氧铜板间具有较高的附着强度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 丝网 印刷技术 制备 厚膜型 氮化 铝覆铜基板 方法 | ||
【主权项】：
一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)浆料的制备；(2)将上步所得浆料印刷到氮化铝基板上；(3)对无氧铜板和氮化铝基板进行清洗，干燥后备用；(4)将无氧铜板封接到上步所得的氮化铝基板上；(5)上将无氧铜板蚀刻成要求图案和花纹；(6)在氮化铝基板上镀镍，即采用镀镍设备将镀镍液镀在上述氮化铝基板；(7)在上述的基板上印刷阻焊区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥邦诺科技有限公司，未经合肥邦诺科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710402858.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法
- 下一篇：制造半导体封装的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
