[发明专利]一种背接触太阳能电池的掺杂处理方法

摘要

本发明涉及一种背接触太阳能电池的掺杂处理方法，包括以下步骤(1)对N型晶体硅基体前表面进行掺杂处理；(2)采用离子注入方式对其背表面进行掺杂处理，离子源为两个，分别实现硼注、磷注入；在其背表面和离子源之间设置掩膜夹具，其上设有用于形成n+/p+掺杂区域的第一、二开口，硼、磷离子在一次注入工艺中同时完成；(3)对N型晶体硅进行退火处理，激活注入的离子，在其背表面形成交替排列的n+/p+掺杂区域，在其前表面形成n+掺杂前表面场。其有益效果是无需使用复杂介质膜掩膜生长就可形成交替排列的n+/p+掺杂区域，简化了工艺流程；n+前表面场、背表面n+/p+掺杂区域在一次高温工序中同时形成，减少了高温工序数目，节约了生产成本。

主权项

一种背接触太阳能电池的掺杂处理方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、对N型晶体硅基体的前表面进行掺杂处理；(2)、采用离子注入的方式对N型晶体硅基体的背表面进行掺杂处理，其中，离子源为两个，以分别实现硼注入和磷注入；在N型晶体硅的背表面和离子源之间设置掩膜夹具，所述掩膜夹具上设置有第一开口和第二开口，所述第一开口用于形成n+掺杂区域，所述第二开口用于形成p+掺杂区域；硼离子和磷离子在一次注入工艺中同时完成；(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅进行退火处理，激活注入的离子，在N型晶体硅基体的背表面形成交替排列的p+掺杂区域和n+掺杂区域，实现背接触太阳能电池的背表面掺杂处理；同时在N型晶体硅基体的前表面形成n+掺杂前表面场。