[发明专利]用于均匀气相沉积的岐管

摘要

本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括用于均匀气相沉积的岐管。所述半导体装置可以包括岐管，所述岐管包括孔道并且具有内壁。所述内壁可以至少部分地界定所述孔道。所述孔道的第一轴向部分可以沿着所述岐管的纵轴延伸。供应通道可以提供气体源与所述孔道之间的流体连通。所述供应通道可以包括界定穿过所述岐管的所述内壁的至少部分环形的间隙的狭缝，以将气体从所述气体源递送到所述孔道。所述至少部分环形的间隙可以围绕所述纵轴旋转。

主权项

一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括：岐管，所述岐管中包括孔道，所述孔道界定所述岐管的第一端部分与所述岐管的第二端部分之间的气体通路，沿着所述岐管的纵轴，所述第一端部分与所述第二端部分相对地安置且与所述第二端部分隔开第一距离，其中所述气体通路穿过所述岐管延伸大于所述第一距离的第二距离；以及反应腔室，所述反应腔室安置在所述孔道的下游且与所述孔道成流体连通。