[发明专利]二维硒化铟力学传感器的制备方法及其应用

摘要

本发明公开了二维硒化铟力学传感器的制备及其应用。属于超灵敏力学传感器领域。本发明要解决现有单独石墨烯大面积薄膜的力学传感器应变系数值小的技术问题。本发明通过机械剥离法制备了二维InSe纳米片；通过模板法制备了二维硒化铟力学传感器，当对力学传感器施加非轴向力时电流变化较大，表现出显著的压阻效应，应变系数高达40，远高于传统的金属薄膜(GF＝1‑5)和石墨烯(GF＝2‑4)；且具有良好的力学稳定性。本发明二维硒化铟力学传感器对人体活动具有良好的灵敏度和稳定性，在超灵敏电子皮肤领域具有很大的应用前景。

主权项

二维硒化铟力学传感器的制备方法，其特征在于该制备方法是按下述步骤进行的：步骤一、将柔性基底依次用异丙醇、丙酮、乙醇和水中超声处理，用氮气吹干，待用；步骤二、用Scotch胶带反复粘贴块体InSe材料至少5次，然后粘贴在经步骤一处理后的柔性基体上至少3小时，去除Scotch胶带后浸泡在丙酮中至少1小时，取出即可在柔性基底表面获得二维InSe纳米片；步骤三、然后选择柔性基底(PET)表面上横向尺寸为(20‑40)微米和厚度为(20‑40)nm的二维InSe纳米片，用银胶固定金属掩膜版覆盖，然后在热台上焙烤，然后置于真空镀膜机中，真空条件下依次蒸镀金属铬和金电极，然后在金属金电极上两侧引出两根铜丝电极，最后浸没入PDMS中，加热使PDMS固化，即可得到柔性力学传感器。