[发明专利]光栅的制作方法以及背照式CMOS图像传感器

摘要

本发明提供了一种光栅的制作方法以及一种具有光栅的背照式CMOS图像传感器。该光栅的制作方法包括：提供一基底，在所述基底上形成一图像掩模层并刻蚀所述图像掩模层形成若干开口，接着形成光栅层，所述光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述开口，然后进行平坦化工艺以去除部分光栅层直至露出剩余的图像掩模层，最后去除剩余的图像掩模层。使用本发明技术方案可实现对光栅形貌的严格控制。

主权项

1.一种光栅的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有一正面和一背面，所述基底的正面形成有像素阵列，所述像素阵列的相邻像素单元之间形成有绝缘层，所述基底的背面形成有叠层结构；刻蚀所述叠层结构以及所述基底形成第一开口，所述第一开口位于相邻的像素单元之间并暴露所述绝缘层；形成第一光栅层，所述第一光栅层覆盖剩余的叠层结构并填充所述第一开口；执行第一次平坦化工艺以去除部分第一光栅层直至露出剩余的叠层结构，以形成第一光栅；形成图像掩模层，所述图像掩模层覆盖剩余的叠层结构以及第一光栅；刻蚀所述图像掩模层形成第二开口，所述第二开口暴露所述第一光栅；形成第二光栅层，所述第二光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述第二开口；执行第二次平坦化工艺以去除部分第二光栅层直至露出剩余的图像掩模层；以及去除剩余的图像掩模层，以在第一光栅上方形成第二光栅。