[发明专利]一种测量500kV主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法在审
申请号: | 201710405481.8 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN106990297A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 廖维东;李惠明;朱克然;曹罡;闵万雄;李选建;吴勇;王璐 | 申请(专利权)人: | 贵州乌江水电开发有限责任公司构皮滩发电厂 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人: | 商小川 |
地址: | 564408 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种测量500kV主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法,在解开主变中性点套管的一次接地铜排后,从中性点套管一次回路处施加变频抗干扰介质损耗测量仪高压屏蔽线交流试验电压10kV,所经一次回路包括主变中性点套管、高压绕组、高压套管、500kV GIS、高压电缆,变频抗干扰介质损耗测量仪低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流,变频抗干扰介质损耗测量仪即可自动计算tanδ,本发明减免了工作平台搭设、GIS气室SF6抽充、GIS内部软连接拆装等大量工作,在降低工作人员安全风险的同时大大缩短了工期,同时也排除了对GIS精密设备的损坏风险,解决了目前测量主变高压套管tanδ难度大的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 500 kv 高压 套管 介质 损耗 因数 tan 方法 | ||
【主权项】:
一种测量500kV主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法,其特征在于:在解开主变中性点套管的一次接地铜排后,从中性点套管一次回路处施加变频抗干扰介质损耗测量仪高压屏蔽线交流试验电压10kV,所经一次回路包括主变中性点套管、高压绕组、高压套管、500kV GIS、高压电缆,变频抗干扰介质损耗测量仪的低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流,变频抗干扰介质损耗测量仪即可自动计算tanδ。
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