[发明专利]亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法在审
| 申请号： | 201710405520.4 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107299394A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;郝俊祥;张怀武;马博;饶毅恒;金立川;文岐业;李明明;刘元昆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司11514 | 代理人： | 安娜 |
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| 摘要： | 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，包括如下步骤制备熔体以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料制备熔体；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。本发明制备得到的磁光薄膜能够应用于自旋逻辑器件。本发明得出了合适的氧化物配比，并结合氧化物配比的特点，采用高生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶BiTmIG薄膜，其薄膜厚度为100～1000nm，具有垂直于薄膜表面(面外)的易磁化轴。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 级面外易 磁化 晶石 榴石磁光 薄膜 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、制备熔体：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料，Bi2O3既为薄膜提供成分又为熔剂，Ga2O3用以降低饱和场；根据配方:(BixTm3‑x)(GayFe5‑y)O12，0<x<3,0<y<5，采用R因子配方法(Blank‑Nielsen系数法)进行配料得到熔体，涉及的R因子有R1、R2、R3，三个因子的关系如下(摩尔比)：R1=Tm2O3Fe2O3=0.1~0.2;R2=Ga2O3Fe2O3=0.1~0.135;R3=GarnetoxidesGarnetoxides+Flux=0.1~0.2;]]>S2、清洗基片；S3、将步骤S2清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。
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