[发明专利]一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710405621.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107195747A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黄华茂;王洪;杨倬波;陈迪涛;梁思炜 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n‑电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p‑反射电极层。本发明可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 尺寸 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米尺寸倒装LED芯片，其特征是制备该LED芯片的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n‑电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁设有钝化层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p‑反射电极层。
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