[发明专利]太赫兹基片集成波导‑微带过渡结构在审
| 申请号： | 201710405692.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107342446A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王志辉 | 申请（专利权）人： | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种太赫兹基片集成波导‑微带过渡结构，旨在提供一种结构简单，易加工，能够广泛应用于太赫兹平面电路实现平面互连的射频信号传输结构。本发明通过下述方案予以实现金属化通孔阵列(3)按线阵排列在基片集成波导(1)矩形体长度方向的两边，在所述矩形体一侧宽边对接射频输出口(6)凸台结合体的共面板面上，设有同侧相连平面微带(5)的多层渐变基片集成波导过渡结构(4)；基片集成波导将太赫兹信号能量耦合于单层介质基片(2)的介质层，通过一段多层渐变基片集成波导过渡结构互连平面微带传输宽带太赫兹信号，通过多层渐变基片集成波导过渡结构将基片集成波导的TE10模转变为平面微带的TEM模，最后通过射频输出口输出。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 集成 波导 微带 过渡 结构 | ||
【主权项】：
一种太赫兹基片集成波导‑微带过渡结构，包括设置在基片集成波导(1)矩形体面上的单层介质基片(2)、金属化通孔阵列(3)和通过平面微带(5)传输射频信号的射频输出口(6)，其特征在于：金属化通孔阵列(3)按线阵排列在基片集成波导(1)矩形体长度方向的两边，在所述矩形体一侧宽边对接射频输出口(6)凸台结合体的共面板面上，设有同侧相连平面微带(5)的多层渐变基片集成波导过渡结构(4)；太赫兹信号从基片集成波导(1)的自由端输入，将太赫兹信号能量耦合于单层介质基片(2)的介质层，通过一段多层渐变基片集成波导过渡结构互连平面微带(5)传输宽带太赫兹信号，太赫兹信号以多层渐变基片集成波导过渡结构(4)作为输入，通过多层渐变基片集成波导过渡结构(4)将基片集成波导(1)的TE10模转变为平面微带(5)的TEM模，对基片集成波导(1)与平面微带(5)的阻抗进行匹配，最后通过射频输出口(6)输出。
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