[发明专利]一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法

摘要

本发明涉及一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法，包括在衬底上形成绝缘层，涂覆负性光刻胶进行光刻显影，形成第一栅/源/漏极区；对第一栅/源/漏极区底部绝缘层进行蚀刻形成栅极/源极/漏极沟槽；涂覆正性光刻胶进行光刻显影，在栅极沟槽、第一栅极区内形成正性光刻胶填充；在源极/漏极沟槽内形成源极/漏极金属层；去除负/正性光刻胶填充；在器件上表面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上涂覆负性光刻胶进行光刻显影，在负性光刻胶上、栅极沟槽上方形成第二栅极区；在栅极沟槽、第二栅极区内形成栅极金属层；去除涂覆负性光刻胶。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。

主权项

1.一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法，其特征在于：包括步骤：/n（1）、在衬底上形成绝缘层，在所述绝缘层上涂覆负性光刻胶，通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影，在所述负性光刻胶上形成第一栅极区、源极区以及漏极区；/n（2）、对所述第一栅极区、源极区以及漏极区底部所述绝缘层进行蚀刻形成栅极沟槽、源极沟槽以及漏极沟槽；/n（3）、在器件上表面涂覆正性光刻胶，通过栅极场板掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影，在所述栅极沟槽、第一栅极区内形成正性光刻胶填充；/n（4）、在所述源极沟槽、漏极沟槽内形成源极金属层、漏极金属层；/n（5）、去除步骤（1）、（3）中涂覆的所述负性光刻胶和正性光刻胶填充；/n（6）、在器件上表面形成栅极绝缘层；/n（7）、在所述栅极绝缘层上涂覆负性光刻胶，通过栅极场板掩膜板对所述负性光刻胶进行光刻显影，在所述负性光刻胶上、所述栅极沟槽上方形成第二栅极区，并且所述第二栅极区的宽度大于所述栅极沟槽的宽度；/n（8）、在所述栅极沟槽、第二栅极区内形成栅极金属层；/n（9）、去除步骤（7）中涂覆形成的所述负性光刻胶。/n