[发明专利]一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法

摘要

本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区内、两侧的第一金属层上形成正性光刻胶填充；去除暴露的第一金属层；在负/正性光刻胶填充上、源/漏极区内形成第二金属层；去除位于负/正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的负/正性光刻胶填充，栅极区内第一金属层为栅极金属层，源极、漏极内第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了小型几何器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。

主权项

1.一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，其特征在于：由以下步骤组成：/n（1）、在衬底上涂覆负性光刻胶，通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影，在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区，具体为在所述衬底上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上再涂覆所述负性光刻胶，所述栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层形成在所述栅极绝缘层上；/n（2）、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层；/n（3）、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶，通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影，在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充；/n（4）、去除（2）中形成并暴露的第一金属层；/n（5）、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层；/n（6）、去除（5）中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的所述负性光刻胶、正性光刻胶填充，所述栅极区内所述第一金属层为栅极金属层，所述源极、漏极内所述第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。/n