[发明专利]半导体存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，所述半导体存储器包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中的第一焊盘以及内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括U型的第一导电层、电容介质以及第二导电层；及支架筒，形成于所述第二焊盘上，所述支架筒包括虚置孔以及在所述虚置孔內的U型截面的第一导电层。本发明以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值，同时通过设计边际区域的掩膜图形，可以获得形貌良好的边际电容器结构，提高半导体存储器的存储能力及结构稳定性。

主权项

1.一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个在内存数组结构中的第一焊盘、以及排除在所述内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；2)于所述半导体衬底上形成交替层叠的介质层及支撑层；3)于所述介质层上形成第一掩膜以及第二掩膜，所述第一掩膜用于刻蚀所述介质层以形成与所述第一焊盘对应的电容孔以及与所述第二焊盘对应的虚置孔，所述第二掩膜用于掩蔽位于所述电容孔及所述虚置孔之外的外围区域，且所述第二掩膜的边缘沿着距离最靠近的电容孔或虚置孔的一预设间距弯曲；4)基于所述第一掩膜及所述第二掩膜于所述介质层中刻蚀出直至所述第一焊盘的电容孔及直至所述第二焊盘的虚置孔；5)于所述电容孔、所述虚置孔及所述介质层表面形成第一导电层；6)形成多个开口，所述开口至少暴露部分的所述介质层，藉由所述开口进行湿法腐蚀去除所述介质层，所述开口相对偏离所述虚置孔；及7)对应于所述电容孔形成覆盖所述第一导电层内表面及外表面的电容介质，并形成覆盖所述电容介质外表面的第二导电层，由所述电容孔位置制备出双面电容器。