[发明专利]一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法有效
申请号: | 201710407005.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN107055615B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 程志林;吴沛蓉;刘赞 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;B82Y40/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法,涉及纳米材料的制备技术领域,本发明以粉状埃洛石纳米管为模板,通过加入钼源和硫源的混合溶液,使钼源与硫源在模板外表面和层间沉积,钼源与硫源会迅速反应,在模板中产生二硫化钼晶核,产生的晶核迅速生长成卷曲片状;去除模板,得到卷曲状二硫化钼粗产品;再经卷曲状的二硫化钼自身张力展开,形成多层片状的二维层状结构MoS2纳米片。本发明制备成本低,稳定性好,采用模板法制备纳米片同时兼顾了步骤简单,纳米片层数可控以及规模化生产的优点。 | ||
搜索关键词: | 二硫化钼 纳米片 硫源 钼源 制备 二维纳米结构 卷曲状 晶核 埃洛石纳米管 二维层状结构 制备技术领域 法制备纳米 规模化生产 多层片状 混合溶液 纳米材料 纳米片层 粗产品 卷曲 层间 可控 沉积 去除 生长 | ||
【主权项】:
一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在磁力搅拌下,将钼源和硫源溶解于去离子水中,取得钼源和硫源的混合溶液;所述钼源为钼酸铵或钼酸钠,所述硫源为硫脲或硫代乙酰胺或硫化钠;所述钼源和硫源的混合溶液中钼原子与硫原子的摩尔比为1∶ 2~4;2)将干燥的60~100℃粉状埃洛石纳米管与上述钼源和硫源的混合溶液混合后进行反应;所述粉状埃洛石纳米管为一维纳米管状结构,长度为200~500 nm,直径为50~100nm,层间结构为7~10Å;所述埃洛石纳米管与钼源和硫源的混合比为100 mL∶3.8~215 g∶3.2~330 g;3)反应结束后冷却到室温,先后采用氢氟酸水溶液和盐酸水溶液洗涤除去埃洛石纳米管,得到MoS2粗产品;4)采用去离子水、无水乙醇洗涤MoS2粗产品后,离心取得固相,经干燥、研磨,得二维纳米结构MoS2纳米片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学,未经扬州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710407005.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钼酸铋钾纳米材料及其制备方法
- 下一篇:一种二硫化钼的降杂工艺