[发明专利]抑制垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法

摘要

本发明涉及抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法，属于一种衍射光栅的制备技术领域，即在近场全息曝光时，通过在垂直于光栅矢量方向上的微位移抑制位相掩模初始的垂直于光栅矢量方向的次生干扰图形，降低制作光栅的杂散光水平、并提高光栅的占宽比均匀性。

主权项

1.抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法，其特征在于，步骤如下：/n(1)建立近场全息曝光系统，所述全息曝光系统包括紫外波段激光器、针孔滤波器、准直透镜、光阑、包含参考光栅1和目标光栅上、下两部分的熔石英位相掩模、涂布光刻胶的光栅基底，简称光栅基底、参考光栅2、样品台、压电惯性驱动器及接收屏；紫外波段激光器发出的光束依次经过针孔滤波器和准直透镜后，形成平行光，平行光再经光阑照射到熔石英位相掩模上，其中一部分平行光经熔石英位相掩模的目标光栅后产生零级与负一级两束衍射光，此零级与负一级两束衍射光相互干涉形成的干涉图形被记录到光栅基底的光刻胶层，此部分用于产生光栅图形；另一部分平行光则依次经过熔石英位相掩模的参考光栅1和参考光栅2后，在接收屏上形成莫尔条纹，通过监测莫尔条纹的变化情况控制样品台的平移方向；/n(2)入射光束的主光轴方向为Y方向，垂直于入射光束主轴的平面为XOZ面，调整熔石英位相掩模与入射光的角度，使入射光以入射角i，即负一级自准直角入射到熔石英位相掩模上，其中，沿着熔石英位相掩模的栅线方向、即Z轴方向将位相掩模分为上、下两部分：偏上至少五分之一部分作为参考光栅1(RG1)，其余部分记为目标光栅；/n(3)利用常规的近场全息光刻-离子束刻蚀方法制作出与参考光栅1相同的熔石英光栅，记为参考光栅2，将参考光栅2与待近场全息曝光的光栅基底安置在同一个样品台上，样品台安装在压电惯性驱动器上，通过压电惯性驱动器来控制样品台沿Z轴方向上下移动；/n(4)通过调整样品台位置来调整参考光栅2与参考光栅1的相对位置，使参考光栅2的栅线方向与参考光栅1的栅线方向平行；/n(5)参考光栅1产生的零级RB