[发明专利]半导体结构、HEMT结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710407585.2 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107464843B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张耀中;陈柏智;余俊磊;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种半导体结构、HEMT结构及其形成方法。所述半导体结构包含沟道层；位于所述沟道层上方的有源层，其中所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界面形成在所述沟道层中；形成在所述有源层的顶表面上方的栅极电极；以及位于所述有源层的所述顶表面上方的源极/漏极电极；其中所述有源层包含从所述顶表面到所述有源层的底表面依序堆栈的第一层与第二层，相较于所述第二层，所述第一层具有较高的铝(Al)原子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 hemt 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：沟道层；有源层，位于所述沟道层上方，所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界面形成在所述沟道层中；栅极电极，形成在所述有源层的顶表面上方；以及源极/漏极电极，位于所述有源层的所述顶表面上方；其中所述有源层包含从所述顶表面到所述有源层的底表面依序堆栈的第一层与一第二层，相较于所述第二层，所述第一层具有较高的铝(Al)原子浓度。
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