[发明专利]一种光电探测器件及其制备方法、触控基板及显示面板有效
| 申请号： | 201710407754.2 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107240611B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 卜倩倩;任庆荣;孙建明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种光电探测器件，包括：基板；多晶硅层，形成于所述基板上，多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件。本申请同时提供了光电探测器件的制备方法、一种触控基板和一种显示面板。本申请实现了光电探测器件的高光电转换效率，且识别能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测 器件 及其 制备 方法 触控基板 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器件，其特征在于，包括：基板；多晶硅层，形成于所述基板上，所述多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件；所述金属电极与透明导电膜形成为叉指电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
