[发明专利]一种LED氮化镓衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201710407808.5 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107170861A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王荣华 | 申请（专利权）人： | 王荣华 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 314100 浙江省嘉兴市嘉善*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED氮化镓衬底及其制备方法，包括LED氮化镓衬底，所述LED氮化镓衬底由下至上包括下碳化硅层、金属层、上碳化硅层和氮化镓层。所述氮化镓层的厚度为金属层的8‑12倍。所述金属层为A1、Cu、In、Sn或Au层。LED氮化镓衬底可用于制备LED芯片。所述LED芯片包括LED氮化镓衬底、第二电极、氮化硼层、石墨烯层和第一电极；第一电极设置在LED氮化镓衬底上，第二电极设置在石墨烯层上。该LED氮化镓衬底设计合理，结构简单，制备工艺简单，降低了制备成本，从而降低了产品价格，有利于实现量产LED氮化镓衬底，经济价值较高，具有较好的市场推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 氮化 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED氮化镓衬底，其特征在于，包括LED氮化镓衬底(1)，所述LED氮化镓衬底(1)由下至上包括下碳化硅层(6)、金属层(9)、上碳化硅层(8)和氮化镓层(7)。
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