[发明专利]用于增强填充物和减少衬底撞击的原子层沉积有效

专利信息
申请号: 201710408151.4 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN107460449B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 乔舒亚·柯林斯;梁修;汉纳·巴姆诺尔克;卡皮尔·优曼什·萨瓦拉尼 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/54;H01L21/3205
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;张静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于增强填充物和减少衬底撞击的原子层沉积。提供了一种用于沉积钨的方法,包括:在衬底处理室中布置包括氮化钛层的衬底,并且使用前体气体在衬底上进行钨的多阶段原子层沉积,所述前体气体包括氯化钨(WClx)气体,其中x是整数。执行包括在第一ALD阶段期间使用第一剂量强度的前体气体沉积钨,以及在第二ALD阶段期间使用第二剂量强度的前体气体沉积钨。第一剂量强度基于第一剂量浓度和第一剂量周期。第二剂量强度基于第二剂量浓度和第二剂量周期。第二剂量强度是第一剂量强度的1.5至10倍。
搜索关键词: 用于 增强 填充物 减少 衬底 撞击 原子 沉积
【主权项】:
一种用于沉积钨的方法,包括:在衬底处理室中布置包括氮化钛层的衬底;使用前体气体在所述衬底上执行钨的多阶段原子层沉积,所述前体气体包括氯化钨(WClx)气体,其中x是整数,并且其中所述执行包括:在第一ALD阶段期间使用第一剂量强度的所述前体气体沉积钨;和在第二ALD阶段期间使用第二剂量强度的所述前体气体沉积钨,其中所述第一剂量强度基于第一剂量浓度和第一剂量周期,其中所述第二剂量强度基于第二剂量浓度和第二剂量周期,以及其中所述第二剂量强度是第一剂量强度的1.5至10倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710408151.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top