[发明专利]具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201710408363.2 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107464841A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 万建伟;S·坎南;P·基姆;S·尼尔森;朴成恩;M·通加雷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱,崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件。一种化合物半导体器件包括掺杂有碳和/或铁的第一III族氮化物缓冲层、在第一III族氮化物缓冲层上方并且掺杂有碳和/或铁的第二III族氮化物缓冲层、在第二III族氮化物缓冲层上方的第一III族氮化物器件层、以及在第一III族氮化物器件层上方并且具有不同于第一III族氮化物器件层的带隙的第二III族氮化物器件层。二维电荷载气沿着第一和第二III族氮化物器件层之间的界面产生。第一III族氮化物缓冲层具有大于第二III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。第二III族氮化物缓冲层具有相当于或大于第一III族氮化物器件层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。描述了一种制造化合物半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 外延 结构 iii 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：第一III族氮化物缓冲层，其掺杂有碳和/或铁；第二III族氮化物缓冲层，其在所述第一III族氮化物缓冲层上方并且掺杂有碳和/或铁；第一III族氮化物器件层，其在所述第二III族氮化物缓冲层上方；以及第二III族氮化物器件层，其在所述第一III族氮化物器件层上方并且具有不同于所述第一III族氮化物器件层的带隙，其中二维电荷载气沿着所述第一III族氮化物器件层与所述第二III族氮化物器件层之间的界面产生，其中所述第一III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度大于所述第二III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度，其中所述第二III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度相当于或大于所述第一III族氮化物器件层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。
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