[发明专利]一种数字驱动的半导体显示器件有效
申请号: | 201710409172.8 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN107038994B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 季渊;刘万林;黄舒平 | 申请(专利权)人: | 南京迈智芯微光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 210006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种数字驱动的半导体显示器件,至少包含硅基底以及制作于硅基底上呈阵列排布的微发光二极管,且:微发光二极管至少包含第一电极、多层非有机化合物和第二电极,像素电路至少包含二值存储单元和驱动晶体管,驱动晶体管为N型或P型金属‑氧化物半导体场效应晶体管,仅工作于开通或关断两种状态;微发光二极管的一端连接至驱动晶体管的源极或漏极,另一端连接至电源、地或负电源;微发光二极管的发光亮度与驱动晶体管在单位时间内的开通时间成正比,显示器的灰度产生方式为数字脉宽调制,数字脉宽调制的方式为子场或子空间;二值数字存储单元位于第一电压区,驱动晶体管位于第二电压区。 | ||
搜索关键词: | 一种 数字 驱动 半导体 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种数字驱动的半导体显示器件,其特征在于,至少包含硅基底以及制作于硅基底上呈阵列排布的微发光二极管,且:所述硅基底中集成了像素电路,用于驱动所述微发光二极管,所述像素电路包含金属‑氧化物半导体场效应晶体管;所述微发光二极管至少包含第一电极、多层非有机化合物和第二电极,所述非有机化合物由Ga、As、In、Al、Se、Zn、Si、P、N或C元素构成且可掺杂;所述像素电路至少包含二值存储单元和驱动晶体管,所述驱动晶体管为N型或P型金属‑氧化物半导体场效应晶体管,仅工作于开通或关断两种状态;所述微发光二极管的一端连接至驱动晶体管的源极或漏极,另一端连接至电源、地或负电源;所述微发光二极管的发光亮度与所述驱动晶体管在单位时间内的开通时间成正比,显示器的灰度产生方式为数字脉宽调制,所述数字脉宽调制的方式为子场或子空间;所述二值数字存储单元位于第一电压区,所述驱动晶体管位于第二电压区;所述硅基底中还集成了行驱动电路和列驱动电路,用于产生像素电路的数字脉宽信号;所述硅基底中还集成了接口电路,用于接受输入视频信号。
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