[发明专利]IC卡的激光加工方法

摘要

本发明实施例公开了一种IC卡的激光加工方法，包括：步骤1：将第一压板压在大卡料上；步骤2：采用第一CO2激光雕刻芯片槽位的第一层，同时采用第二CO2激光切割出IC卡的R角；步骤3：将第二压板压在大卡料上；步骤4：采用第一UV激光雕刻芯片槽位的第二层；步骤5：将完成背胶的芯片置于芯片槽位内，盖上光学玻璃；步骤6：采用第三CO2激光扫描芯片，使芯片背面的热熔胶融化，芯片与卡基粘连；步骤7：利用气压来固定大卡料；步骤8：采用第四CO2激光切割IC卡的直线边，得到完成加工的IC卡。本发明实施例通过采用激光进行挖槽、切割、封装，解决了加工过程中的噪音大、能耗大、加工效率低的问题，进而达到了节能环保、加工效率高的技术效果。

主权项

1.一种IC卡的激光加工方法，其特征在于，包括：步骤1：将待加工的大卡料置于第一工作台上，将带有芯片槽位及R角预留孔的透明的第一压板压在所述大卡料上，并进行定位；步骤2：根据定位采用第一CO2激光沿预设扫描路径间隔填充大卡料的芯片槽位，雕刻芯片槽位的第一层，其中，第一CO2激光的扫描速度范围为500mm/s～700mm/s，填充间距范围为0.07mm～0.09mm，功率范围为90W～110W，波长范围为9.13μm～9.95μm，频率范围为9.5kHz～10.5kHz；同时，根据定位采用第二CO2激光以预设速度切割出IC卡的R角，得到初步挖槽的大卡料，其中，预设速度范围为400mm/s～600mm/s，第二CO2激光的功率范围为140W～160W，波长范围为9.13μm～9.95μm；步骤3：将初步挖槽的大卡料置于第二工作台上，将带有芯片槽位的透明的第二压板压在所述大卡料上，并进行定位；步骤4：根据定位采用第一UV激光沿预设扫描路径间隔填充初步挖槽的大卡料的芯片槽位，雕刻芯片槽位的第二层，得到完成挖槽的大卡料，其中，第一UV激光的扫描速度范围为250mm/s～350mm/s，填充间距范围为0.02mm～0.04mm，功率范围为25W～35W，波长范围为300nm～400nm，频率范围为35kHz～45kHz；步骤5：将完成挖槽的大卡料置于第三工作台上，将完成背胶的芯片置于所述大卡料的芯片槽位内，盖上光学玻璃，并进行定位；步骤6：根据定位采用第三CO2激光并将激光聚焦使激光光斑以预设功率密度照射于芯片上，沿芯片表面的内边缘行进一周扫描加热，使芯片背面的热熔胶融化，芯片与大卡料的卡基粘连，得到完成封装的大卡料，其中，预设功率密度范围为106～109W/cm2，第三CO2激光的波长范围为10.06μm～11.02μm，脉冲频率的范围为1Hz～15Hz，脉冲宽度的范围为0.1ms～15ms；步骤7：将完成封装的大卡料置于第四工作台上，抽掉大卡料与第四工作台之间的空气，利用气压来固定大卡料并对大卡料进行定位；步骤8：根据定位采用第四CO2激光以预设速度切割IC卡的直线边，得到完成加工的IC卡，其中，第四CO2激光的功率范围为140W～160W，波长范围为9.13μm～9.95μm。