[发明专利]一种一维位置传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种一维位置传感器，包括透明衬底、第一电极层、第一有机层和第二电极层组成；所述的第一有机层截面形状为直角梯形，设置在透明导电衬底之上；所述的第一有机层左侧边缘厚度h1的取值范围为50‑100 nm，右侧边缘厚度h2的取值范围为20‑50 nm，且h1与h2满足关系h1‑h2≥20 nm;所述的第一有机层厚度从左至右匀速下降；所述的第二电极层截面形状为直角梯形，设置在第一有机层之上；所述的第一电极层左侧边缘厚度h3的取值范围为100‑1000 nm，右侧边缘厚度h4的取值按h4=h1+h3‑h2计算获得；所述的第二电极层厚度从左至右匀速上升。本发明同时公开了这种位置传感器的制造方法。

主权项

1. 一种一维位置传感器，包括透明衬底、第一电极层、第一有机层和第二电极层组成；所述的第一有机层截面形状为直角梯形，设置在透明导电衬底之上；所述的第一有机层左侧边缘厚度h1的取值范围为50‑100 nm，右侧边缘厚度h2的取值范围为20‑50 nm，且h1与h2满足关系h1‑h2≥20 nm;所述的第一有机层厚度从左至右匀速下降；所述的第二电极层截面形状为直角梯形，设置在第一有机层之上；所述的第一电极层左侧边缘厚度h3的取值范围为100‑1000 nm，右侧边缘厚度h4的取值按h4=h1+h3‑h2计算获得；所述的第二电极层厚度从左至右匀速上升，所述第一有机层选择C70或者SubPc中的一种。