[发明专利]垂直型光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明可以使光电探测器二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。

主权项

1.一种垂直型光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层，所述二硫化钼层为单层或多层薄膜材料，载流子类型为n型；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层，所述杂化钙钛矿层为弱p型，载流子浓度为10¹⁶cm^‑3量级；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。