[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构及制备方法，制备方法包括步骤：提供一硅材料层；于硅材料层上形成中间结构，中间结构至少包括第一金属层，且第一金属层形成于硅材料层上表面，中间结构还包括第二金属层，第二金属层形成于第一金属层上，且第二金属层的材料与第一金属层的材料不同；及在预设温度下于中间结构上表面形成绝缘层，且在绝缘层的形成过程中，第一金属层与硅材料层的硅元素在预设温度下反应生成第一硅化金属层。通过上述技术方案，本发明的半导体器件结构可以与硅材料之间形成较低的接触电阻；本发明的半导体器件结构可以直接最为耐高温的导线；本发明的半导体结构可以解决堆叠栅极结构的接触电阻的问题并同时保证堆叠栅极结构的效能。

主权项

1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)提供一硅材料层；2)于所述硅材料层上形成中间结构，所述中间结构至少包括第一金属层，且所述第一金属层直接形成于所述硅材料层上表面，所述中间结构还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述第一金属层上，且所述第二金属层的材料与所述第一金属层的材料不同；及3)在预设温度下于所述中间结构上表面形成绝缘层，且在所述绝缘层的形成过程中，所述第一金属层与所述硅材料层的硅元素在所述预设温度下反应生成第一硅化金属层，其中，所述预设温度介于550～800℃之间。