[发明专利]基于缓冲层的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710412532.X | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107425116A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于缓冲层的阻变存储器及其制备方法，该方法包括在Si衬底表面热氧化SiO2层形成的半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和第一缓冲层；利用旋涂工艺在第一缓冲层表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长第二缓冲层；在第二缓冲层表面生长点状顶电极，最终形成缓冲层的阻变存储器。本发明在CH3NH3PbI3薄膜与上下电极之间插入缓冲层，可以形成肖特基势垒，显著的降低阻变层和电极之间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 缓冲 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于缓冲层的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：在Si衬底表面热氧化SiO2层形成半绝缘衬底；在所述半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和第一缓冲层；利用旋涂工艺在所述第一缓冲层表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在所述CH3NH3PbI3薄膜表面生长第二缓冲层；在所述第二缓冲层表面生长点状顶电极，最终形成所述基于缓冲层的阻变存储器。
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