[发明专利]一种新型双半桥变换器电路在审
申请号: | 201710412722.1 | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN107370382A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李浩昱;许传宇;赵雷 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型双半桥变换器电路,其具体的组成包括电阻,电感,第一至第三电容,第一、第二IGBT,第一、第二MOSFET,第一至第六二极管,第一、第二变压器。本发明有效地解决了现有移相全桥变换器普遍存在的在轻载情况下失去软开关或为增加软开关范围采取措施却导致电路结构复杂、牺牲效率的问题。本发明具有简单的电路结构、软开关范围宽,输出纹波低,效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 双半桥 变换器 电路 | ||
【主权项】:
一种新型的双半桥变换器电路,其特征在于:包括电阻,电感,第一至第三电容,第一、第二IGBT,第一、第二MOSFET,第一至第六二极管,第一、第二变压器,其中,所述第一IGBT的发射极分别与输入端正极、第一MOSFET的漏极相连接,第一IGBT的集电极分别与第二IGBT发射极、第一电容的一端相连接,第二IGBT的集电极分别与输入端负极、第一变压器初级绕组的一端、第二变压器初级绕组的一端、第二MOSFET的源极相连接,第一电容的另一端与第一变压器初级绕组的另一端相连接,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极、第二电容的一端相连接,第二电容的另一端与第二变压器初级绕组的另一端相连接;所述第一二极管的阴极与第二二极管的阴极、第三二极管的阴极、电感的一端相连接,第一二极管的阳极与第一变压器次级绕组的一端、第四二极管的阴极相连接,第二二极管的阳极与第一变压器次级绕组的另一端、第二变压器次级绕组的一端、第五二极管的阴极相连接,第三二极管的阳极与第二变压器次级绕组的另一端、第六二极管的阴极相连接,第四二极管的阳极与第五二极管的阳极、第六二极管的阳极、电容的一端、电阻的一端相连接并接地,电感的另一端与电容的另一端、电阻的另一端相连接。
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