[发明专利]制造半导体封装的方法

摘要

本发明涉及制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：提供第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有形成在第一主表面上的第一内部凸块电极组和形成在所述第一主表面上的第一外部凸块电极组；提供第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有形成在第二主表面上的第二内部凸块电极组和形成在所述第二主表面上的第二外部凸块电极组；提供插入器，所述插入器具有正表面、与所述正表面相反的反表面，形成在所述插入器中的多个内部布线，以及形成在所述插入器中的多个外部布线；以及将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片布置在所述插入器的所述正表面上，使得所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片并排安装在所述插入器的所述正表面上。

主权项

一种制造半导体封装的方法，包括如下步骤：(a)提供第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有形成在第一主表面上的第一内部凸块电极组和形成在所述第一主表面上的第一外部凸块电极组；(b)提供第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有形成在第二主表面上的第二内部凸块电极组和形成在所述第二主表面上的第二外部凸块电极组；(c)提供插入器，所述插入器具有正表面、与所述正表面相反的反表面，形成在所述插入器中的多个内部布线，以及形成在所述插入器中的多个外部布线；以及(d)将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片布置在所述插入器的所述正表面上，使得所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片并排安装在所述插入器的所述正表面上，其中，在所述步骤(a)中，所述提供第一半导体芯片还包括：(a1)在第一晶圆上形成第一静电放电保护元件组，(a2)在所述第一晶圆的所述第一主表面上形成所述第一内部凸块电极组和所述第一外部凸块电极组，使得所述第一外部凸块电极组的多个电极与所述第一静电放电保护元件组的多个元件电连接，(a3)在所述第一晶圆的所述第一主表面上形成第一绝缘树脂层，使得所述第一内部电极组被所述第一绝缘树脂层覆盖，以及(a4)在所述(a3)步骤之后，执行所述第一晶圆的划片，从而产生具有所述第一内部凸块电极组的所述第一半导体芯片，其中，在所述步骤(b)中，所述提供第二半导体芯片进一步包括：(b1)在第二晶圆上形成第二静电放电保护元件组，(b2)在所述第二晶圆的所述第二主表面上形成所述第二内部凸块电极组和所述第二外部凸块电极组，使得所述第二外部凸块电极组的多个电极与所述第二静电放电保护元件组的多个元件电连接，(b3)在所述第一晶圆的所述第二主表面上形成第二绝缘树脂层，使得所述第一内部凸块电极组被所述第二绝缘树脂层覆盖，以及(b4)在所述(b3)步骤之后，执行所述第二晶圆的划片，从而产生具有所述多个第二内部凸块电极组的所述第二半导体芯片，其中，在所述步骤(d)中，在所述插入器的所述正表面上布置所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片进一步包括：(d1)将所述第一内部凸块电极组的多个第一凸块与所述多个第一布线经由焊料连接，使得通过加热和按压所述第一绝缘层，所述多个第一凸块的每个穿透所述第一绝缘树脂层，以及(d2)将所述第二内部凸块电极组的多个第二凸块与所述多个第二布线经由焊料连接，使得通过加热和按压所述第二绝缘层，所述多个第二凸块的每个穿透所述第一绝缘树脂。