[发明专利]一种表面钝化液及其用于碲锰镉晶体表面钝化的应用有效
| 申请号： | 201710414294.6 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107393820B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 俞鹏飞;李辉;陈永仁;宋婕;王钰 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/322;H01L31/032;H01L31/115 |
| 代理公司： | 61216 西安恒泰知识产权代理事务所 | 代理人： | 孙雅静 |
| 地址： | 710064 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面钝化液及其用于碲锰镉晶体表面钝化的应用。钝化液为质量百分含量是1％～5％的过硫酸钾钝化液，即过硫酸钾与去离子水的质量比为1:99～5:95，应用时，将已经用化学方法两面镀有金电极的碲锰镉晶片放入配制好的钝化液中钝化1‑20min后，用去离子水清洗干净，最后用氮气吹干，得到表面钝化的碲锰镉晶体。本发明的钝化工艺和操作简单、成本低，钝化后可在碲锰镉晶体的表面形成高阻氧化层，有效降低漏电流，从而改善探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 钝化 及其 用于 碲锰镉 晶体 应用 | ||
【主权项】：
1.一种表面钝化液，其特征在于，包括过硫酸钾和水，过硫酸钾与水的质量比为1:99～5:95；/n所述的表面钝化液用于碲锰镉晶体表面钝化的应用；/n将碲锰镉晶体在表面钝化液中表面处理5～20min；/n所述的碲锰镉晶体为已用化学方法进行两面镀金电极的碲锰镉晶体。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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