[发明专利]多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710414303.1 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108982599A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 严达利;刘士余;竺云;曹猛 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用，由多孔硅基底、Pt膜电极、多孔硅基氧化钨敏感层和其上的方形的Pt电极组成，所述的多孔硅基氧化钨敏感层由多孔硅层和恒电位电化学沉积在其上的氧化钨(WO3)薄膜组成。本发明通过在多孔硅基底制备欧姆接触电极，然后利用电化学法在多孔硅上原位生长WO3颗粒薄膜的方法较为简单，所需控制的工艺条件较少，成本低廉；制备出的多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器可在室温下探测低浓度二氧化氮气体，具有灵敏度较高、响应/恢复性能较好、选择性和重复性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔硅基 气敏传感器 氧化钨薄膜 复合材料 氧化钨 制备方法和应用 敏感层 制备 低浓度二氧化氮 欧姆接触电极 电化学沉积 薄膜组成 电化学法 多孔硅层 工艺条件 颗粒薄膜 原位生长 多孔硅 恒电位 灵敏度 电极 探测 响应 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器，其特征在于，包括多孔硅基底、Pt膜电极、多孔硅基氧化钨敏感层和Pt电极；所述的多孔硅基底采用双槽电化学腐蚀法制备而成，平均孔径为1‑2μm，厚度为5‑15μm，在所述的多孔硅基底上设置所述的多孔硅基氧化钨敏感层，该多孔硅基氧化钨敏感层采用三电极体系进行恒电位电化学沉积氧化钨薄膜制得，在所述多孔硅基底上表面边界处设置有Pt膜电极，该Pt膜电极采用磁控溅射镀膜法制得，厚度为90‑110nm，面积为(8‑10)mm×(1.5‑2.5)mm，所述的多孔硅基氧化钨敏感层与Pt膜电极互不接触，在所述的多孔硅基氧化钨敏感层上对称设置有两块方形的Pt电极，所述的Pt电极采用掩模版以磁控溅射法，所述的多孔硅基氧化钨敏感层的孔道中存在氧化钨颗粒。
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