[发明专利]一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用有效
申请号: | 201710414310.1 | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN107354509B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 陈俊锋;杜勇;王绍华;孙世允;周学农;李翔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B11/02;C30B15/00;C30B28/06;C30B28/10;G01T1/202 |
代理公司: | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用,所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba | ||
搜索关键词: | 一种 氟化钡 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种掺钇氟化钡晶体的制备方法,其特征在于,所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地,未经中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710414310.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备超平整铜单晶薄膜的方法
- 下一篇:SiC单晶及其制造方法