[发明专利]一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构有效

专利信息
申请号: 201710414897.6 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN107123566B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 王建华;李昊旻;王子寒;耿英三;刘志远 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 何会侠
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构,包括布置于真空灭弧室中的阳极触头系统和阴极触头系统,阳极触头系统包括触头片,设置在触头片背部的单侧开口的导磁结构;导电杆通过导流结构与触头片连接,且穿过导磁结构的开口处,导流结构和导磁结构与触头片采用焊接固定;所述阴极触头系统与阳极触头系统结构相同,布置方式为触头片相对布置,且使导磁结构的开口方向相反;所述导电杆、触头片和导流结构组成导电回路,导磁结构组成导磁回路;本发明结构能提高真空灭弧室中的纵向磁场强度,增大强纵向磁场区域,增加现有真空灭弧室纵向磁场,有效提高真空电弧的最长燃弧距离,同时具有较低的真空灭弧室回路电阻。
搜索关键词: 一种 真空 灭弧室双极型 复合 纵向 磁场 结构
【主权项】:
1.一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构,其特征在于:包括布置于真空灭弧室中的阳极触头系统(6)和阴极触头系统(7),所述阳极触头系统(6)包括触头片(3),设置在触头片(3)背部的单侧开口的导磁结构(2);导电杆(1)通过导流结构(4)与触头片(3)连接,且穿过导磁结构(2)的开口处,导流结构(4)与触头片(3)采用焊接固定;导磁结构(2)与触头片(3)采用焊接固定;所述阴极触头系统(7)与阳极触头系统(6)结构相同,布置方式为触头片(3)相对布置,且使导磁结构(2)的开口方向相反;所述导电杆(1)、触头片(3)和导流结构(4)组成导电回路,导磁结构(2)组成导磁回路;所述双极型复合纵向磁场触头结构在阳极触头系统(6)和阴极触头系统(7)之间产生的纵向磁场由导磁结构(2)产生的纵向主磁场(8)和由导流结构(4)产生的纵向调节磁场(9)复合组成,所述纵向主磁场(8)与纵向调节磁场(9)极性相同,相互叠加;所述导流结构(4)的横截面略大于导电杆(1),在底部开有非贯通槽,在侧面中部同样开有非贯通槽,当电流流过导流结构(4)时引导电流产生垂直于导电杆(1)的分量,以在触头间隙中产生纵向调节磁场(9)。
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